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專注光譜傳感和光電應(yīng)用系統(tǒng)
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硅膜厚度測量
實驗光路圖
實物光路連接圖
實驗背景目的：
各種介質(zhì)、半導(dǎo)體和金屬的薄膜在電子工業(yè)、光學(xué)工業(yè)和化學(xué)工業(yè)等得到了廣泛的使用。膜層的厚度對器件或儀器的性能有直接影響。如硅徽型電路的介質(zhì)層的厚度和成分，對半導(dǎo)體工業(yè)具有很大的重要性，這些膜層的厚度將決定集成電路器件的性能和可靠性。萊森光學(xué)可提供膜厚測量服務(wù)，通過無損的光學(xué)測量方法，基于白光干涉原理，使用光纖光譜儀實現(xiàn)膜厚測量，以比傳統(tǒng)的方法更精度更高，測量速度更快地測量出硅片的膜厚。
實驗結(jié)果：
實驗使用單晶硅作為白參考，所以以下的實驗數(shù)據(jù)都是考慮了單晶硅的反射率的。以下計算薄膜的算法使用的是光譜白光干涉，擬合使用L-M擬合和PS優(yōu)化結(jié)合使用。計算結(jié)果如下表格：
樣品名字/位置 | 厚度/nm |
樣品1-1 | 600.021 |
樣品1-2 | 601.498 |
樣品1-3 | 604.675 |
樣品1-4 | 601.737 |
樣品1-5 | 596.645 |
樣品2-1 | 417.323 |
樣品2-2 | 417.001 |
樣品2-3 | 419.159 |
樣品2-4 | 418.875 |
樣品2-5 | 418.504 |
樣品3-1 | 510.566 |
樣品3-2 | 575.974 |
樣品3-3 | 579.537 |
樣品3-4 | 445.861 |
樣品3-5 | 440.772 |
樣品1-1
樣品1-2
樣品1-3
樣品1-4
樣品1-5
樣品2-1
樣品2-2
樣品2-3
樣品2-4
樣品2-5
樣品3-1
樣品3-2
樣品3-3
樣品3-4
樣品3-5
實驗結(jié)論：
編號 | 平均膜厚(nm) | 標(biāo)準(zhǔn)偏差值 |
1 | 601.98275 | 2.9234102% |
2 | 418.1724 | 0.957946136% |
3 | 510.542 | 67.25537504% |
