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VCSEL全稱為垂直腔面發射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），是半導體激光器的一種，當前以砷化鎵半導體為基礎材料的VCSEL居多，發射波長主要為近紅外波段。
顧名思義，VCSEL是一種垂直于襯底面射出激光的激光器，有區別于傳統的邊發射半導體激光器，如F-P激光器(法布里-珀羅激光器)、DFB（分布式反饋激光器）。其可以在襯底上多個方向上排列多個激光器，從而形成并行光源或者面陣光源，是光纖通信或者光感測領域的主要光源之一。
相較于傳統的半導體激光器，VCSEL有以下諸多優點：
1）有源層體積極小，從而可以獲得極低的工作閾值，如材料工藝發展可期待極低閾值甚至無閾值發光器件；
2）波長和閾值對溫度變化相對不太敏感（當然VCSEL本身也屬于半導體激光器的一種，也就逃脫不了溫度對其影響的宿命，其波長相對于溫度變化的溫漂系數大約為0.06 nm/℃，相比于F-P激光器的0.3 nm/℃來說已經小很多了。）；
3）腔長量級與波長相近，甚至更小（半波長量級），故縱模間隔較大，可實現單縱模出射；
4）可得到較大的馳豫振蕩頻率，從而實現較高的調制頻率；
5）出射圓形光斑，易于與光纖耦合；
6）封裝簡易，且可以形成二維激光陣列；
7）預期工作壽命達10萬小時及以上。
